对比图
型号 DMN4800LSSL SI4410BDY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3
描述 DIODES INC. DMN4800LSSL 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 VVISHAY SI4410BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 10A, 30V, 2.5WVISHAY SI4134DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC SOIC-8
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 0.011 Ω 0.02 Ω 0.0115 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.46 W 2.5 W 5 W
阈值电压 1.2 V 1 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) - - 846pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 2500 mW
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A -
上升时间 - 10 ns -
下降时间 - 15 ns -
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
封装 SOIC SOIC SOIC-8
包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - -
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -