对比图
型号 FDB52N20TM STB30NF20 STB40NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 2 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 52.0 A - 40.0 A
针脚数 2 2 3
漏源极电阻 0.041 Ω 0.065 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 357 W 125 W 160 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
输入电容 2.90 nF - 2.50 nF
栅电荷 63.0 nC - 75.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - - 200 V
连续漏极电流(Ids) 52.0 A - 25.0 A, 40.0 A
上升时间 175 ns 15.7 ns 44 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 357 W 125 W 160 W
下降时间 29 ns 8.8 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 357 W 125W (Tc) 160W (Tc)
栅源击穿电压 200 V - -
通道数 - 1 -
长度 9.98 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 10.16 mm 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.572 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99