对比图
型号 IRL3705ZSPBF STB140NF55T4 STB80NF55-08T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB80NF55-08T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 86.0 A 80.0 A 80.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 12 mΩ 0.0065 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 300 W 300 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55.0 V 55.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 240 ns 150 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 300 W 300 W
下降时间 - 45 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1 -
产品系列 IRL3705ZS - -
输入电容 2880pF @25V - -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99