BCP56-16T3G和BCP56T3

对比图

型号 BCP56-16T3G BCP56T3 BCP5616E6327HTSA1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCP56-16T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorSOT-223 NPN 80V 1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 25 100 @150mA, 2V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1.5 W 1500 mW 2 W

额定功率(Max) 1.5 W - 2 W

频率 130 MHz - -

针脚数 4 - -

直流电流增益(hFE) 25 - -

长度 6.5 mm 6.5 mm -

宽度 3.5 mm 3.5 mm -

高度 1.63 mm 1.57 mm -

封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -