MMBTH10-4LT1和MMBTH10-4LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTH10-4LT1 MMBTH10-4LT1G

描述 甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF TransistorNPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 650 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V

额定电流 4.00 mA 4.00 mA

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

极性 - NPN

耗散功率 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @4mA, 10V 120 @4mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 120

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm -

宽度 1.3 mm -

高度 0.94 mm -

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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