NST45010MW6T1G和SBC857BDW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NST45010MW6T1G SBC857BDW1T1G PUMT1,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  NST45010MW6T1G  Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -45 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363 新双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorsPNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SC-70-3 TSSOP-6

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

针脚数 6 - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 380 mW 0.38 W 0.2 W

增益频宽积 100 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 40 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V - 120 @1mA, 6V

额定功率(Max) 380 mW 380 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 220 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 380 mW 200 mW

长度 2.2 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.35 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SC-88-6 SC-70-3 TSSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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