对比图
型号 STW26NM60N TK20E60W STW45NM50FD
描述 STMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin TO-220N沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 - TO-247-3
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 45.0 A
漏源极电阻 0.135 Ω - 0.1 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 140 W - 417 W
阈值电压 3 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V - 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 20A - 45.0 A
上升时间 25 ns 25 ns 107.5 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) - 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W - 417 W
下降时间 50 ns 6 ns 87.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) - 417W (Tc)
针脚数 3 - -
输入电容 1800 pF - -
长度 15.75 mm - 15.75 mm
宽度 5.15 mm - 5.15 mm
高度 20.15 mm - 20.15 mm
封装 TO-247-3 - TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
香港进出口证 NLR - -