BS107ARL1和BS108ZL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS107ARL1 BS108ZL1G BS107ARL1G

描述 小信号MOSFET 250毫安, 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts小信号N沟道TO-92-3封装场效应管ON SEMICONDUCTOR  BS107ARL1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 250 mA 250 mA 250 mA

漏源极电阻 6.4 Ω 8.00 Ω 4.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 350 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA 250 mA

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 350 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta)

通道数 1 - -

输入电容 60.0 pF - 60pF @25V

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3 V

长度 5.2 mm 5.2 mm 4.45 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm 4.32 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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