FJP13007H1TU和ST13007

对比图

型号 FJP13007H1TU ST13007 PHE13007

描述 高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 400 V 400 V 700 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @2A, 5V 5 @5A, 5V 8 @2A, 5V

额定功率(Max) 80 W 80 W 80 W

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 80 W 80 W -

集电极最大允许电流 8A 8A -

直流电流增益(hFE) - 5 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 80000 mW 80000 mW -

频率 4 MHz - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.4 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -