MTD20N06HDL和NTD3055L104T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD20N06HDL NTD3055L104T4G MTD20N06HD

描述 功率MOSFET 20安培, 60伏特,逻辑电平N沟道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAKON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V功率MOSFET 20安培, 60伏特N沟道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 DPAK-252 TO-252-3 DPAK

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 12.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.089 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 48 W -

阈值电压 - 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 12.0 A 20A

上升时间 151 ns 104 ns -

输入电容(Ciss) 863pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.5 W -

下降时间 75 ns 40.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1750 mW 1.5 W -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 DPAK-252 TO-252-3 DPAK

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Rail Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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