BC850B和BC850BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC850B BC850BLT1G BC850CLT1G

描述 Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 45.0 V 45.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 0.25 W 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 200 420

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 225 mW 300 mW

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1.11 mm 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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