FDP4030L和FQP17P06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP4030L FQP17P06 SPP08N80C3

描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFQP17P06 系列 60 V 0.12 Ohm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-220-3INFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 55 mΩ 0.12 Ω 0.56 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 37.5 W 79 W 104 W

漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 800 V

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 20A - 8.00 A

上升时间 8 ns 100 ns 15 ns

下降时间 10 ns 60 ns 7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 800 V

额定电流 - - 8.00 A

额定功率 - - 104 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 3 V

输入电容(Ciss) - 690pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 79 W 104 W

耗散功率(Max) - 79000 mW 104W (Tc)

长度 10.67 mm 10.1 mm 10.36 mm

宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.4 mm

高度 16.3 mm 9.4 mm 15.95 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Rail Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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