对比图
型号 FQA38N30 STW75NF30 FQA24N60
描述 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STW75NF30 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 85.0 mΩ 0.037 Ω 0.24 Ω
耗散功率 290 W 320 W 310 W
阈值电压 - 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 600 V
上升时间 430 ns 87 ns 270 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 5930pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 290 W 320 W 310 W
下降时间 190 ns 101 ns 170 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 290W (Tc) 320W (Tc) 310 W
额定电压(DC) 300 V - -
额定电流 38.4 A - -
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 300 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 38.4 A 30.0 A -
长度 - 15.75 mm 15.8 mm
宽度 - 5.15 mm 5 mm
高度 - 20.15 mm 18.9 mm
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 - -