对比图
型号 STN3NF06 STN3NF06L NDT3055L
描述 STMICROELECTRONICS STN3NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 4.00 A 4.00 A 3.50 A
额定功率 - 3.3 W -
通道数 - 1 1
针脚数 4 4 4
漏源极电阻 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.3 W 3.3 W 3 W
阈值电压 3 V 2.8 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A 4.00 A
上升时间 18 ns 25 ns 7.5 ns
输入电容(Ciss) 315pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.3 W 3.3 W 1.1 W
下降时间 6 ns 10 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Tc) 3.3W (Tc) 3000 mW
输入电容 315 pF - -
栅电荷 10.0 nC - -
长度 - 6.5 mm 6.5 mm
宽度 - 3.5 mm 3.5 mm
高度 - 1.8 mm 1.6 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR