对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3672 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3860 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3670 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 44.0 A - 34.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.024 Ω 0.029 Ω 0.022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 mW 69 W 83 W
阈值电压 4 V 3.8 V 2.5 V
输入电容 1.71 nF - 2.49 nF
栅电荷 24.0 nC - 57.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 6.2A 34.0 A
上升时间 59.0 ns - 10 ns
输入电容(Ciss) 1710pF @25V(Vds) 1740pF @50V(Vds) 2490pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 3.1 W 1.6 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) 3.8W (Ta), 83W (Tc)
通道数 - - 1
下降时间 - - 25 ns
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 5.59 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99