RSR025P03TL和SSM3J306T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RSR025P03TL SSM3J306T SI2307CDS-T1-E3

描述 RSR025P03TL 编带SSM3J306T P沟道MOS场效应管 -30V -2.4A 225MΩ SOT-23 marking/标记 JJ9 电源管理开关 高速开关 4V驱动 低导通电阻Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 0.85 mm - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

耗散功率 1 W - 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)

输入电容(Ciss) 460pF @10V(Vds) - 340pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 1W (Ta) - 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -2.50 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 115 mΩ - -

极性 P-Channel - -

漏源极电压(Vds) 30 V - -

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.50 A - -

上升时间 10 ns - -

额定功率(Max) 1 W - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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