MUN5212DW1T1G和MUN5213T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5212DW1T1G MUN5213T1G MUN5212DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5212DW1T1G.  晶体管ON SEMICONDUCTOR  MUN5213T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-70双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 3 6

封装 SOT-363 SC-70-3 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 NPN NPN Dual N-Channel

耗散功率 0.385 W 0.31 W 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 202 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 310 mW 385 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

封装 SOT-363 SC-70-3 SOT-363

高度 - - 0.9 mm

宽度 - 1.24 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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