APT6017B2FLLG和APT8024B2LLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6017B2FLLG APT8024B2LLG APT8024B2FLLG

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3Pin(3+Tab) T-MAXN沟道 800V 31A功率MOS 7 FREDFET POWER MOS 7 FREDFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 T-MAX-3

额定电压(DC) 600 V 800 V 800 V

额定电流 35.0 A 31.0 A 31.0 A

输入电容 4.50 nF 4.67 nF 4.67 nF

栅电荷 100 nC 160 nC 160 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 31.0 A 31.0 A

上升时间 7 ns 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 500 W 565 W -

下降时间 6 ns 4 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500000 mW 565W (Tc) 565000 mW

极性 - - N-CH

耗散功率 - 565W (Tc) -

封装 TO-247-3 TO-247-3 T-MAX-3

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台