FDS4953和NDS9947

对比图

型号 FDS4953 NDS9947 STS4DPF30L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4953  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSTMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -20.0 V -30.0 V

额定电流 -5.00 A -3.50 A -4.00 A

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 55 mΩ 46.0 mΩ 0.07 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel, P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2.00 W 2 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -20.0 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) -5.00 A -3.50 A 4.00 A

上升时间 13 ns - 35 ns

输入电容(Ciss) 528pF @15V(Vds) 542pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 900 mW 2 W

下降时间 9 ns - 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2000 mW

输入电容 528 pF - -

栅电荷 6.00 nC - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -