STB160N75F3和STP160N75F3

对比图

型号 STB160N75F3 STP160N75F3 IRF3808SPBF

描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VN沟道 75V 106A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 106 A

漏源极电阻 - 3.5 mΩ 7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 330 W 200 W

产品系列 - - IRF3808S

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 - - 5310pF @25V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - - 75 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 60.0 A 106 A

上升时间 65 ns 65 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 6750pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 330 W 200 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

下降时间 15 ns 15 ns -

耗散功率(Max) 330W (Tc) 330W (Tc) -

长度 10.75 mm 10.4 mm 10.67 mm

高度 4.6 mm 15.75 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

宽度 10.4 mm 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -