PBHV8115T和PBHV8115T,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBHV8115T PBHV8115T,215 PBHV8115Z

描述 NXP  PBHV8115T  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFENXP  PBHV8115T,215  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFESmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

频率 - 30 MHz -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 300 mW 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 10 50 @500mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) 250 250 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

高度 1.1 mm 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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