对比图
型号 PBHV8115T PBHV8115T,215 PBHV8115Z
描述 NXP PBHV8115T 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFENXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFESmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23 SOT-23-3 -
频率 - 30 MHz -
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN -
耗散功率 300 mW 300 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -
集电极最大允许电流 1A 1A -
最小电流放大倍数(hFE) 10 50 @500mA, 10V -
最大电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V -
额定功率(Max) - 300 mW -
直流电流增益(hFE) 250 250 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -
高度 1.1 mm 1 mm -
封装 SOT-23 SOT-23-3 -
长度 3 mm - -
宽度 1.4 mm - -
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free PB free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -