对比图
型号 FDP8870 FDP8870_F085 PSMN4R3-30PL,127
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8870. 场效应管, MOSFET, N沟道PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TO-220AB N-CH 30V 100A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.0034 Ω 4.1 mΩ 0.0043 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 160 W 160 W 103 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 156 A 19A 100A
上升时间 105 ns 105 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 5200pF @15V(Vds) 2400pF @12V(Vds)
下降时间 - 46 ns 21 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 103W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 160 A - -
针脚数 3 - -
阈值电压 2.5 V - 1.7 V
输入电容 5.20 nF - -
栅电荷 106 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
额定功率(Max) 160 W - 103 W
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 4.83 mm 4.7 mm -
高度 9.4 mm 16.3 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -