MBD54DWT1和MBD54DWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBD54DWT1 MBD54DWT1G

描述 双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier DiodesON SEMICONDUCTOR  MBD54DWT1G..  小信号肖特基二极管, 双隔离, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363-6 SOT-363-6

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 200 A 200 mA

电容 10.0 pF 10.0 pF

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 6

正向电压 1V @100mA 1 V

耗散功率 - 150 mW

反向恢复时间 5 ns 5 ns

正向电流 - 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 600 mA

正向电压(Max) 1V @100mA 400 mV

正向电流(Max) - 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

工作结温 125℃ (Max) 125℃ (Max)

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 0.9 mm

封装 SOT-363-6 SOT-363-6

工作温度 - 55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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