SG2003J和SG2003L/883B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SG2003J SG2003L/883B SG2003J/883B

描述 高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYSCLLCC NPN 50V 0.5ACDIP NPN 50V 0.5A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 16 20 -

封装 CDIP-16 CLLCC CDIP

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -

封装 CDIP-16 CLLCC CDIP

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR NLR NLR

工作温度 150℃ (TJ) - -

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