DTC114GUAT106和MUN5215T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC114GUAT106 MUN5215T1G PDTC114TU,115

描述 ROHM  DTC114GUAT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 30 hFEON SEMICONDUCTOR  MUN5215T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-323NXP  PDTC114TU,115  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 0.31 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 160 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 202 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 310 mW 200 mW

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 30 - 200

额定功率 0.2 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 30 - -

增益带宽 250 MHz - -

长度 2 mm 2.2 mm -

宽度 1.25 mm 1.24 mm -

高度 0.8 mm 0.85 mm 1 mm

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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