MJW21191和MJW21193G

对比图

型号 MJW21191 MJW21193G

描述 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICONON SEMICONDUCTOR  MJW21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

频率 - 4 MHz

额定电压(DC) -150 V -250 V

额定电流 -4.00 A -16.0 A

针脚数 - 3

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 250 V

集电极最大允许电流 8A 16A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @4A, 2V 20 @8A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 80

额定功率(Max) 125 W 200 W

直流电流增益(hFE) - 20

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 200000 mW

长度 - 16.26 mm

宽度 - 5.3 mm

高度 - 21.08 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

材质 - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99