BC847BTT1G和BC847BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BTT1G BC847BWT1G 2SC4617G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BTT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFEON SEMICONDUCTOR  BC847BWT1G  晶体管 双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFENPN硅通用晶体管放大器NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SC-70-3 SOT-416

频率 100 MHz 100 MHz 180 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 150 mW 0.125 W

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 200 @2mA, 5V 120 @1mA, 6V

额定功率(Max) 225 mW 150 mW 125 mW

直流电流增益(hFE) 450 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 125 mW

长度 1.8 mm 2.2 mm -

宽度 0.8 mm 1.35 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 SC-75-3 SC-70-3 SOT-416

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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