对比图
型号 TPS1120DR TPS1120DRG4 TPS1120DG4
描述 P沟道增强方式MOSFET双P沟道增强型MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS双P沟道增强型MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 0.84 W 840 mW 0.84 W
漏源极电压(Vds) 15 V -15.0 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 1.17 A 1.17A 1.17A
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
下降时间 2 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
通道数 - - 2
漏源极电阻 - - 180 mΩ
额定功率(Max) 840 mW - 840 mW
耗散功率(Max) 840 mW - 840 mW
额定电压(DC) -15.0 V - -
额定电流 -1.17 A - -
长度 - 4.9 mm 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm 3.9 mm
高度 - 1.75 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)