IPB80N06S3L-06和SPP11N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB80N06S3L-06 SPP11N80C3 SPP04N80C3

描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorINFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 55.0 V 800 V 800 V

额定电流 80.0 A 11.0 A 4.00 A

通道数 1 - 1

漏源极电阻 5.6 mΩ 0.39 Ω 1.1 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 136 W 156 W 63 W

输入电容 9.42 nF - -

栅电荷 196 nC - -

漏源极电压(Vds) 55 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 55 V - 800 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 11.0 A 4.00 A

上升时间 43 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 9417pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 136 W 156 W 63 W

下降时间 39 ns 7 ns 12 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 136W (Tc) 156 W 63W (Tc)

额定功率 - 156 W 63 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3 V 3 V

长度 10 mm 10.36 mm 10 mm

宽度 9.25 mm 4.57 mm 4.4 mm

高度 4.4 mm 9.45 mm 15.65 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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