FDD86110和IPD110N12N3GATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD86110 IPD110N12N3GATMA1

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0085 Ω 0.0092 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 127 W 136 W

阈值电压 2.8 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 120 V

连续漏极电流(Ids) 12.5A 75A

输入电容(Ciss) 2265pF @50V(Vds) 3240pF @60V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 127W (Tc) 136W (Tc)

通道数 - 1

上升时间 - 16 ns

下降时间 - 8 ns

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17

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