JANTX2N5686和JANTXV2N5686

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5686 JANTXV2N5686 MJ14001G

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR高?当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 2

封装 TO-3 TO-3 TO-3

极性 NPN NPN PNP

耗散功率 300 W 300 W 300 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 60 V

集电极最大允许电流 50A 50A 60A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @25A, 2V 15 @25A, 2V 15 @50A, 3V

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW -

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -60.0 A

封装 TO-3 TO-3 TO-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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