APT15GT60BRDQ1G和STGW19NC60HD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT15GT60BRDQ1G STGW19NC60HD

描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power ModulesSTGW19NC60HD 系列 42 A 600 V 极快速 IGBT 带超快恢复二极管 - TO-247

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3

耗散功率 184000 mW 140 W

输入电容 - 1180 pF

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

热阻 - 50 ℃/W

反向恢复时间 - 31 ns

额定功率(Max) 184 W 140 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 184000 mW 140000 mW

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 42.0 A -

长度 - 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm

高度 - 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台