BC857BDW1T1G和BC857S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BDW1T1G BC857S BCM857BS.115

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC857BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC857S  双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70NXP  BCM857BS.115  双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 300 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SC-70-6 SOT-363

针脚数 - 6 6

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 380mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 125 200

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

频率 - 200 MHz -

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -

额定电流 -100 mA -200 mA -

击穿电压(集电极-发射极) -45.0 V 45 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 125 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

集电极最大允许电流 0.1A - -

封装 SOT-363 SC-70-6 SOT-363

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR NLR -

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