对比图
型号 KSB1151YSTSTU KSB1151YSTSTU_NL KSB1151YSTU
描述 Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailPNP Epitaxial Silicon TransistorPNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-126-3 TO-126 TO-126-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -5.00 A - -5.00 A
极性 PNP PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 5A 5A 5A
最小电流放大倍数(hFE) 160 @2A, 1V - 160 @2A, 1V
额定功率(Max) 1.3 W - 1.3 W
耗散功率 - - 1300 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 400
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 1300 mW
封装 TO-126-3 TO-126 TO-126-3
宽度 - - 3.25 mm
高度 - - 11.2 mm
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99