对比图
型号 FQPF9N50CF STF10NK50Z IRF730APBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF9N50CF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STF10NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 VVISHAY IRF730APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 500 V 400 V
额定电流 - 9.00 A 5.50 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.7 Ω 550 mΩ 1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 44 W 30 W 74 W
阈值电压 4 V 3.75 V 4.5 V
输入电容 - - 600pF @25V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 400 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 400 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 4.50 A 5.50 A
上升时间 65 ns 17 ns 22 ns
下降时间 64 ns 15 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1219pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 44 W 30 W -
耗散功率(Max) 44W (Tc) 30W (Tc) -
长度 10.36 mm 10.4 mm 10.51 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 16.07 mm 16.4 mm 15.49 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -