对比图
型号 IRFS3307ZPBF STB150NF55T4 STB140NF75T4
描述 Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VSTB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V 55.0 V 75.0 V
额定电流 120 A 120 A 120 A
漏源极电阻 5.8 mΩ 5 mΩ 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 300 W 310 W
产品系列 IRFS3307Z - -
阈值电压 2V ~ 4V 4 V 4 V
输入电容 4750pF @38V 4400 pF -
栅电荷 110 nC - -
漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 120 A 60.0 A 120 A
输入电容(Ciss) 4750pF @50V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 300 W 310 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源击穿电压 - 55 V 75.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
上升时间 - 180 ns 140 ns
下降时间 - 80 ns 90 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 310W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
高度 4.576 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99