对比图
描述 PNP电阻配备晶体管; R 1 = 100千瓦，R 2 = 100千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kWDFN NPN 50V 20mA
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DFN SOT-883
引脚数 - 3
极性 NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 20mA 20mA
耗散功率 - 250 mW
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 5V
额定功率(Max) - 250 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 250 mW
封装 DFN SOT-883
高度 - 0.47 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -65℃ ~ 150℃