对比图
型号 CSD17578Q3A CSD17578Q3AT RQ3E180BNTB
描述 CSD17578Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/R
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 VSONP-8 PowerVDFN-8
耗散功率 2.5 W 37 W 2 W
输入电容(Ciss) 1590pF @15V(Vds) 1150pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 37W (Tc) 3.2W (Ta), 37W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc)
漏源极电阻 - 0.0063 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
阈值电压 - 1.5 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 20A 20A -
上升时间 6 ns 6 ns -
下降时间 1 ns 1 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 VSONP-8 VSONP-8 PowerVDFN-8
长度 3.15 mm 3.5 mm -
宽度 3 mm 3.5 mm -
高度 0.9 mm 0.9 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -