对比图
型号 FDD6630A STD17NF03LT4 IRLR7807ZPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON IRLR7807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 21.0 A 17.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 28 mΩ 0.05 Ω 0.0138 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 28 W 30 W 40 W
阈值电压 1.7 V 1.5 V 1.8 V
输入电容 462 pF 320 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 17.0 A 43A
上升时间 8 ns 100 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 462pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds) 780pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 30 W 40 W
下降时间 13 ns 22 ns 3.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 28 W 30W (Tc) 40W (Tc)
栅电荷 5.00 nC - -
额定功率 - - 40 W
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -