JANTX2N3439和JANTXV2N3439L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N3439 JANTXV2N3439L 2N3439

描述 Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-39Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5STMICROELECTRONICS  2N3439  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-39-3 TO-5 TO-39

引脚数 3 - 3

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 1 W

耗散功率 800 mW - 1 W

最大电流放大倍数(hFE) 160 @20mA, 10V - -

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 10000 mW

频率 - - 15 MHz

额定电压(DC) - - 450 V

额定电流 - - 1.00 A

额定功率 - - 1 W

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

集电极击穿电压 - - 450 V

直流电流增益(hFE) - - 40

封装 TO-39-3 TO-5 TO-39

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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