MUN5313DW1T1G和PUMD12,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5313DW1T1G PUMD12,115 MUN5313DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88NXP  PUMD12,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-88-6 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 256 mW 200 mW 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

额定功率(Max) 250 mW 300 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 140 80 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 300 mW 385 mW

针脚数 - 6 -

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm 1 mm 0.9 mm

封装 SC-70-6 SC-88-6 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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