VNB10N07和VNB10N0713TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNB10N07 VNB10N0713TR VNB10N07-E

描述 ? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETMOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK电源负载分配开关, 低压侧, 18 V输入, 10 A, 0.1 ohm, 1输出, TO-263-3

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器开关电源开关电源

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 7 A 120 A

耗散功率 50.0 W 50000 mW 50 W

输出电流(Max) 7 A 7 A 7 A

额定功率 - - 50 W

供电电流 - - 0.25 mA

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 140 mΩ - 140 mΩ

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 10.0 V - 10.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 10.0 A

输入电压(Max) - - 18 V

输出电流(Min) - - 7 A

输入数 - - 1

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 50000 mW

输入电压 - - 18 V

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

高度 - - 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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