对比图
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.065Ω; ID 4.4A; SOT-223; PD 2.1W; VGS +/-16VSTMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4
封装 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V
额定电流 3.10 A 4.00 A
漏源极电阻 0.1 Ω 0.07 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.1 W 3.3 W
产品系列 IRLL024N -
输入电容 510pF @25V -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.40 A 4.00 A
上升时间 21.0 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 3.3 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 3.3 W
通道数 - 1
针脚数 - 4
阈值电压 - 2.8 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
下降时间 - 10 ns
耗散功率(Max) - 3.3W (Tc)
长度 6.7 mm 6.5 mm
高度 1.45 mm 1.8 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4
宽度 - 3.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17