对比图
型号 IRF7401PBF STS6NF20V SI4426DY-T1-E3
描述 N沟道 20V 8.7ASTMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mVSOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩ
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 0.03 Ω 0.045 Ω 25.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 0.7 V 600 mV -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V 20.0 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.70 A 6.00 A -8.50 A to 8.50 A
上升时间 72 ns 33 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 460pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1.5 W
下降时间 92 ns 10 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2500 mW 2500 mW
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 8.70 A - -
产品系列 IRF7401 - -
输入电容 1600pF @15V - -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 1.5 mm 1.25 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -