对比图
型号 AUIRF2805S IRF2805S IRF2805STRLPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 135AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
额定功率 200 W - 200 W
漏源极电阻 0.0039 Ω - 0.0039 Ω
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 200 W - 200 W
阈值电压 2 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 135A 135A 135A
上升时间 120 ns - 120 ns
输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) - 5110pF @25V(Vds)
下降时间 110 ns - 110 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) - 200W (Tc)
针脚数 - - 3
输入电容 - - 5110 pF
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -