对比图
型号 BCR116E6327HTSA1 BCR116E6433HTMA1 PDTC143ZK,115
描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTORMPAK NPN 50V 100mA
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -
额定电流 100 mA 100 mA -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.2 W 0.2 W -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 70 @5mA, 5V 100 @10mA, 5V
额定功率(Max) 200 mW 200 mW 250 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
增益带宽 150 MHz 150 MHz -
耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -
长度 2.9 mm - -
宽度 1.3 mm - -
高度 0.9 mm - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs End of Life Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -