IRF7478QPBF和STS7NF60L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7478QPBF STS7NF60L FDS5690

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS7NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 VFDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 7.50 A 7.00 A

漏源极电阻 - 0.017 Ω 28.0 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

输入电容 - 1.70 nF 1.11 nF

栅电荷 - 25.0 nC 23.0 nC

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 7.50 A 7.00 A

上升时间 - 27 ns 9 ns

输入电容(Ciss) - 1700pF @25V(Vds) 1107pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 1 W

下降时间 - 20 ns 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 1 V -

额定功率 2.5 W - -

产品系列 IRF7478Q - -

封装 - SOIC-8 SOIC-8

高度 - 1.65 mm -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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