对比图
型号 IPP60R299CP STW16N65M5 IPW60R299CP
描述 INFINEON IPP60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 VTO-247 N-CH 650V 12AInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 96 W 90 W 96W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 12A 11.0 A
上升时间 5 ns 7 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 96 W
下降时间 5 ns 8 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 96 W 90W (Tc) 96W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 11.0 A - 11.0 A
输入电容 - - 1.10 nF
栅电荷 - - 29.0 nC
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.27 Ω - -
阈值电压 3 V - -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 10 mm - 16.03 mm
宽度 4.4 mm - 5.16 mm
高度 15.65 mm - 21.1 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -