对比图
型号 MRF6V2300NBR1 MRF6V2300NBR5 MRF6V3090NBR5
描述 NXP MRF6V2300NBR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-272NXP MRF6V2300NBR5 射频场效应管, MOSFET, N沟道, 110V, TO-272Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Flange Screw Surface Mount
引脚数 4 4 5
封装 TO-272 TO-272 TO-270-4
频率 220 MHz 220 MHz 860 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
漏源极电压(Vds) 110 V 110 V 110 V
输出功率 300 W 300 W 18 W
增益 25.5 dB 25.5 dB 22 dB
测试电流 900 mA 900 mA 350 mA
输入电容(Ciss) 268pF @50V(Vds) 268pF @50V(Vds) 591pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 110 V 110 V 110 V
额定电流 2.5 mA 2.5 mA -
耗散功率 300 W - -
漏源击穿电压 110V (min) - -
连续漏极电流(Ids) 2.50 mA - -
电源电压 50 V 50 V -
针脚数 - 4 -
极性 - N-Channel -
高度 - - 2.64 mm
封装 TO-272 TO-272 TO-270-4
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -