对比图
型号 STD3NK60Z-1 STD3NK60ZT4 SPP04N80C3
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 600 V 800 V
额定电流 - 2.40 A 4.00 A
额定功率 - - 63 W
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 3.3 Ω 3.3 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 45 W 63 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 800 V
漏源击穿电压 - 600 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 2.40 A 2.40 A 4.00 A
上升时间 14 ns 14 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 311pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 45 W 63 W
下降时间 14 ns 14 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 63W (Tc)
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 6.6 mm 6.6 mm 10 mm
宽度 2.4 mm 6.2 mm 4.4 mm
高度 6.2 mm 2.4 mm 15.65 mm
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -